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氮化鎵（GaN）作為寬禁帶半導體，是第三代半導體的代表性材料，其為直接帶隙材料，具有發(fā)光效率高、熱導率大、物理化學性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)點，在照明、顯示、探測等多個領域有較高應用價值。低維（如納米柱、量子點）GaN基材料因其獨特的物理特性，受到廣泛關注。中科院蘇州納米所陸書龍團隊利用分子束外延（MBE）技術開展了GaN基納米柱材料外延生長的研究，基于納米柱結構的GaN基探測器有望獲得良好的柔韌性，可以拓展GaN基材料在光電探測器領域的發(fā)展與應用。

在前期柔性GaN基納米柱薄膜快速剝離技術和相關探測器件的基礎上（ACS Appl. Nano Mater. 2020, 3: 9943；ACS Photonics 2021, 8: 3282；Materials Advances, 2021, 2: 1006），該團隊利用轉移的(Al,Ga)N納米柱薄膜制備出一種柔性自驅(qū)動紫外探測器，該器件具有較高的紫外/可見光抑制比（977）、比探測率（2.51×1011 Jones）和透明度（Max: 81%）。實驗發(fā)現(xiàn)，該自驅(qū)動探測器具有良好的柔韌性（圖1），500次的大幅彎折之后，器件的光電流強度仍保持穩(wěn)定。此外，GaN基材料穩(wěn)定的物化性質(zhì)和器件鈍化工藝使探測器在長時間的光照測試（6000s）、耐久度測試（30天）后依然具有良好穩(wěn)定性。

上述研究成果以Flexible self-powered photoelectrochemical photodetector with ultrahigh detectivity, ultraviolet/visible reject ratio, stability, and a quasi-invisible functionality based on lift-off vertical (Al,Ga)N nanowires為題，發(fā)表在Advanced Materials Interfaces上，并被期刊選為背封面。